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대기압 Plasma

MAK 플라즈마 사업입니다.

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대기압 Plasma

대기압 플라즈마에 의한 표면활성화 원리

1. N2 플라즈마 내의 라디칼이 표면의 카본과 반응

2. 산소 라디칼, 카본, 수소, 금속 등에 의하여 산소층이 표면에 형성됨

3. 플라즈마에 의하여 표면이 활성화 됨

대기압 플라즈마에 의한 유기물 제거

표면의 유기물은 라디칼(O^, OH-)의 화학적 반응과 질소 라디칼의 물리적 반응에 의하여 제거된다.

플라즈마 처리 개념도

표면의 유기물은 라디칼(O^, OH-)의 화학적 반응과 질소 라디칼의 물리적 반응에 의하여 제거된다.

표면 처리 능력

지문 제거

지문 제거

표면 처리 능력(XPS 분석)

C15

Carbon ratio is reduced : removed in the form of CO2 by Generation of O2 plasma.

Generation of C-N bond : by N2 plasma.

Reduction of C=O bond : by reduction of carbon removed int the form of CO2 by generation of O2 plasma.

O1S

Increase of O ratio : Adsorption of oxygen on surface by generation of O2 plasma.

Increase of O-In, O-Sn ratio by reduction (removal)of contaminated C on surface, which means exposure of pure ITO with Plasma treatment.

정전기 제거 능력(* Side Effect)

인위적으로 Bare Glass의 표면을 문질러서 정전기를 5kV까지 생성시킨 후 ESD 측정

ESD 값이 100mm/sec/ 속도로 Plasma 처리 후 5.1 kV 에서 0.03kV(30V)로 감소됨

Application M/C

Fabric Treatment Machine

Plasma M/C for QLB/COG